BSB015N04NX3 G
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSB015N04NX3 G |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | BSB015N04NX3 G Infineon Technologies |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.86 |
10+ | $2.565 |
100+ | $2.1013 |
500+ | $1.7888 |
1000+ | $1.5087 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Verpackung | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse | 3-WDSON |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 142nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 36A (Ta), 180A (Tc) |
BSB015N04NX3 G Einzelheiten PDF [English] | BSB015N04NX3 G PDF - EN.pdf |
BSB013NE2LXI Infineon Technologies
BSB017N03LX3G INFINEO
BSB017N03LX3 INFINEON
MOSFET N-CH 25V 170A 2WDSON
INFINEON MG-WDSON-2
FAN BLOWER 15X3.5MM 3VDC RECT
INFINEON WDSON-2
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
FAN BLOWER 17X3.4MM 3VDC RECT
INFINEO WDSON-2
MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON
INFINEO MG-WDSO
BSB014N04LX3G INFINEON
INFINEON QFN
BSB015N04NX3G INFINEO
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BSB015N04NX3 GInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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